三星成功完成5nmEUV开发实现更大面积扩展和超低功耗优势

先进半导体技术的全球领导者三星电子今天宣布，其 5 纳米 (nm) FinFET 工艺技术已完成开发，现在可以为客户提供样品。通过为其基于极紫外 (EUV) 的工艺产品添加另一个尖端节点，三星再次证明了其在先进代工市场的领导地位。

与 7nm 相比，三星的 5nm FinFET 工艺技术可将逻辑区域效率提高 25%，同时由于工艺改进而降低 20% 的功耗或提高 10% 的性能，使我们能够拥有更具创新性的标准单元架构。

除了从 7nm 到 5nm 的功率性能区域 (PPA) 改进之外，客户还可以充分利用三星高度复杂的 EUV 技术。与其前身一样，5nm 在金属层图案化中使用 EUV 光刻并减少掩模层，同时提供更好的保真度。

5nm 的另一个关键好处是我们可以将所有 7nm 知识产权 (IP) 重用于 5nm。因此，7nm 客户过渡到 5nm 将大大受益于降低的迁移成本、预先验证的设计生态系统，从而缩短他们的 5nm 产品开发。

由于三星代工厂与其三星先进代工生态系统 (SAFE™)合作伙伴密切合作，三星 5nm 的强大设计基础设施，包括工艺设计套件 (PDK)、设计方法 (DM)、电子设计自动化(EDA) 工具和 IP 从 2018 年第四季度开始提供。此外，三星代工厂已经开始向客户提供 5nm 多项目晶圆 (MPW) 服务。

三星电子代工业务执行副总裁 Charlie Bae 表示：我们成功完成了 5nm 开发，证明了我们在基于 EUV 的节点方面的能力。为了响应客户对先进工艺技术以实现其下一代产品差异化的激增需求，我们继续致力于加速基于 EUV 技术的批量生产。

2018 年 10 月，三星宣布准备就绪并开始生产 7nm 工艺，这是其第一个采用 EUV 光刻技术的工艺节点。该公司已提供业界首款基于EUV的新产品的商业样品，并于今年年初开始量产7nm工艺。

此外，三星正在与客户合作开发基于 EUV 的定制工艺节点 6nm，并且已经收到了其首款 6nm 芯片的产品流片。

Bae 先生继续说道：考虑到包括 PPA 和 IP 在内的各种优势，预计三星基于 EUV 的高级节点对 5G、人工智能 (AI)、高性能计算 (HPC)、和汽车。凭借我们强大的技术竞争力，包括我们在 EUV 光刻领域的领先地位，三星将继续为客户提供最先进的技术和解决方案。

三星代工厂基于 EUV 的工艺技术目前正在韩国华城的 S3 生产线生产。此外，三星还将在华城将 EUV 产能扩大到一条新的 EUV 生产线，该生产线预计将于 2019 年下半年完成，并从明年开始量产。